Описание:

MA100e  Gen2 от компании SUSS MicroTec является автоматической установкой совмещения для 100 мм пластин, данная технология одностороннего и двустороннего совмещения подходит для производства МЕМС, ВЧ-электроники, светодиодов, ПАВ фильтров и пр.

Основные возможности:

• Одновременная обработка трех пластин позволяет добиться скорости > 145 пластин в час, включая время на автосовмещение и экспонирование
• Экспонирующая оптика высокой интенсивности уменьшает требуемое время процесса
• Качественно новая система распознавания структуры сводит к минимуму участие оператора и ручное обслуживание
• Комплект инструментов, предназначенный для различных размеров пластин, экономит время настройки установки под разные размеры пластин
• Оптика для уменьшения дифракции для печати с микрозазором для процессов с высокими требованиями к разрешению.
• Высокая равномерность засветки позволяет получить превосходную повторяемость получаемой структуры
• Технологии SUSS DirectAlign и ThermAlign Technology обеспечивают совмещение на субмикронном уровне
• Бесконтакное предварительное совмещение защищает хрупкие пластины
• Специальные системы перемещения для хрупких, искривленных и прозрачных пластин

Автоматическая установка совмещения для крупносерийного производства

MA100e Gen2 от компании SUSS MicroTec является специализированной установкой совмещения для обработки сверхъярких СИДов (HB-LED), а также других составных полупроводников, таких как силовые устройства и ВЧ-МЭМС. Благодаря совмещению высокой точности, особой системе перемещения для хрупких, искривленных и прозрачных пластин и оптике высокого разрешения система MA100e Gen2 соответствует общей тенденции уменьшения расходов и увеличения производительности.

Высокая пропускная способность благодаря быстрой обработке пластин .

Система MA100e Gen2 может одновременно перемещать три пластины, что приводит к сокращению продолжительности цикла до 145 пластин в час (215 пластин в час первый шаблон). 

Высокая производительность благодаря оптимизированной экспонирующей оптике.

При разрешении 2.5 мкм L/S с зазором экспонирования 20 мкм оптика для уменьшения дифракции компании SUSS может справиться с любыми сложностями процесса производства составных полупроводников. На пластинах 100 мм оптика UV400 с лампой мощностью 350Вт обеспечивает широкополосное единообразие 65 мВт/см2 с равномерностью освещения < 2.5%, что приводит к улучшенному контролю критических размеров.

* Рисунок из линий и пробелов 2.5 и 3 мкм. Напечатано в DNR-L300-D1 резисте на 2“ сапфировых/GaN пластинах, экспонирование с микрозазором: 20 мкм.

Высокая производительность благодаря субмикронному совмещению.

Система MA100e Gen2 оснащена моторизованной системой совмещения с верхней стороны с точностью совмещения < ± 0.7 мкм (Direct Align). Опция совмещения с нижней стороны (BSA) обеспечивает точность < ± 1.5 мкм. Микроскоп для совмещения, система камеры и современное ПО установки MA100Gen2 отвечают специальным требованиям производства сверхъярких СИДов и гарантируют отличную контрастность даже на прозрачных или текстурированных пластинах. Метки будут заметны, даже если фон поверхности изменяется с каждой пластиной.

Совмещение размытой метки пластины, используется для производства СИД. Распознавание рисунка основано на ПО PatMax® от Cognex.

 

 

 

Высокая пропускная способность

Одновременное перемещение 
3 пластин + Короткие расстояния

Долгий срок службы

Надежная технология + Простота

 

Высокая точность

Линейная транспортировка + Высокая точность перемещения

Технические характеристики: 

Система экспонирования
Оптика	UV400
Разрешение	до 0.7 мкм L/S (вакуумный контакт)
Стандартная интенсивность	65 мВт/см2
Равномерность интенсивности	± 2.5% на 100 мм
Размер ламп	350 Вт, 1000 Вт (опц.)
Система совмещения для экспонирования
Распознавание рисунка	современное ПО
Точность совмещения (TSA)	< ± 1.0 мкм < ± 0.7 мкм (DirectAlign)
Точность совмещения (BSA), только по запросу	< ± 1.5 мкм
Зазор совмещения	до 300 мкм (TSA) до 2500 мкм (BSA)
Метка совмещения	стандарт: перекрестие или по инд. дизайну
Система автом. совмещения	система распозн. рисунка Cognex 8100 (AL8000)
Функция автом. совмещения	режим PatMax и CNL
Производительность MA100e Gen2
U400
Тип оптики:	2''	4''
Вакуумный контакт	0.7 мкм	0.7 мкм
Жесткий контакт	1.0 мкм	1.0 мкм
Мягкий контакт	2.0 мкм	2.0 мкм
Зазор (20 мкм)	2.5 мкм	2.5 мкм
Доступное разрешение зависит от качества контакта, типа оптики, размера пластины, плоскостности пластины, типа резиста, класса чистой комнаты и поэтому может разниться в зависимости от процесса (толщина резиста 1 мкм, линии и пробелы)
Перемещение пластины, коммуникации, размеры
Размер пластины/ подложки	от 2“ до 100 мм круглые подложки
Тип транспортировочной системы	линейный робот
Работа с искривл. пластинами	да
Бесконтактное совмещение	да
Пропускная способность	> 145 пластин в час (зазор) > 215 (первый шаблон)
Система управления	Windows
Основание	2.2 м2
Макс. УФ-излучение	3 мкВт /см2 (на всех доступных оператору участках)